详细介绍
特点一:浮动硅电容芯片
采用之一的富士三代浮动膜盒技术,如图所示:被测差压通过导压管进入变送器的高低压保护室,保护室起到瞬间过压保护作用,差压信号通过毛细血管进入测量室再作用到测量膜片和浮动膜片上,随着外加差压的变化
测量膜片产生与差压成比例的微小位移。硅膜片的作用相当于差动电容中的活动电极。在正常输入差压作用下,浮动膜片基本上是不动的,当检测部件一侧承受单向过载压力时,浮动膜片产生位移,这样就使用测量膜片的变形量减小。由于检测部件的核心体是随单向过载压力浮动的,因此,在承受单向压力时隔离膜片与基座波纹间被挤出的充灌液被吸收,测量膜片不会紧贴到对面的球形固定电极上,而是隔离膜片紧贴在与其吻合的基座保护波纹上不再移动。同时测量膜片和外壳没有应力的连接,使得变送器的长期稳定性得到大幅度提高。这就是富士公司的单向保护、浮动膜盒机构。
特点二:优异的技术指标
可工作在微微差压:1~10Pa;长期稳定性:差压长漂0.1%/10年;超宽测量范围:差压1200:1;流量30:1以上;
特点三:
可测量多个参数(差压、压力、温度、环境温度),在变送器内依据GB/T2624直接运算,同时数字通讯多个参数。允许双向计量、协议计量、蒸汽品质甄别、干度补偿、流出系数多段补偿等专业功能;
用途
可应用于几乎所有差压式流量计,如孔板、喷嘴、V锥、弯管、巴类流量计等。
型谱
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